Luminescence de semi-conducteurs bidimensionnels induite par effet tunnel : effet de transport et d’interactions électron-exciton
La luminescence induite par microscopie à effet tunnel s’est imposée durant la dernière décennie comme un outil de nano-optique unique, notamment pour l’étude des processus élémentaires de l’électroluminescence dans les nanomatériaux semi-conducteurs. Cette technique utilise le courant tunnel sous la pointe d’un microscope à effet tunnel (STM) comme source d’excitation locale (à l’échelle nanométrique) de la luminescence des systèmes étudiés et la détection de cette luminescence en champ lointain. Ce travail de thèse a eu pour but d’étudier expérimentalement des aspects cruciaux mais encore mal compris des processus d’excitation et d’émission en jeu dans cette technique lorsqu’elle est appliquée à des monofeuillets de dichalcogénures de métaux de transition.